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Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications (Paperback, 2, 2020)
Masanori Okuyama, Hiroshi Ishiwara, Byung-Eun Park, Sakai Shigeki, Sung-Min Yoon (엮은이)
Springer | 2021년 03월 | 2021년 03월
229,060원 (18% 할인 / 11,460원)
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Ferroelectric Random Access Memories: Fundamentals and Applications (Paperback)
Masanori Okuyama, Hiroshi Ishiwara, Yoshihiro Arimoto (엮은이)
Springer | 2010년 12월 | 2010년 12월
458,150원 (18% 할인 / 22,910원)
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Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications (Hardcover, 2, 2020)
Masanori Okuyama, Hiroshi Ishiwara, Byung-Eun Park, Sakai Shigeki, Sung-Min Yoon (엮은이)
Springer | 2020년 03월 | 2020년 03월
229,060원 (18% 할인 / 11,460원)
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Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications (Paperback, Softcover Repri)
Masanori Okuyama, Hiroshi Ishiwara, Byung-Eun Park (엮은이)
Springer | 2018년 06월 | 2018년 06월
175,610원 (18% 할인 / 8,790원)
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Ferroelectric Random Access Memories: Fundamentals and Applications (Hardcover, 2004) - Fundamentals and Applications
Masanori Okuyama, Hiroshi Ishiwara (엮은이)
Springer Verlag | 2004년 04월 | 2004년 04월
458,150원 (18% 할인 / 22,910원)
택배로 주문하면 10월 15일 출고 변경

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